DC-DC 降压恒压系列

型号 封装 输入电压范围 输出电压范围 输出电流范围 输出功率范围 驱动方式 效率 工作模式/频率 工作架构 静态电流 VFB(V)
OC5801L SOP8 8～150V ≤Vi-4V ≤10A 120W 外置MOS 最大95% 固定频率140K 浮地架构 低至700uA 0.397
OC5806L ESOP8 8～150V ≤Vi-4V ≤1.5A 15W 内置MOS 最大93% 固定频率140K 浮地架构 低至700uA 0.397
OC5800L ESOP8 8～100V ≤Vi-4V ≤2A 20W 内置MOS 最大93% 固定频率140K 浮地架构 低至700uA 0.397
OC5802L ESOP8 8～60V ≤Vi-4V ≤3A 25W 内置MOS 最大93% 固定频率140K 浮地架构 低至700uA 0.397
OC5808L ESOP8 8～100V ≤Vi-4V ≤1.5A 15W 内置MOS 最大93% 固定频率140K 浮地架构 低至700uA 0.397
OC5862 ESOP8 5.5～60V ≤Vi-2V ≤0.8A 14W 内置MOS 最大93% 可调频率最大1MHZ 实地架构 低至460uA 0.812
OC5864 SOT23-6 5.5～60V ≤Vi-2V ≤0.6A 12W 内置MOS 最大93% 固定频率500KHZ 实地架构 低至460uA 0.812
OC5823 SOP8 5.5～60V ≤Vi-1V ≤5A 40W 外置MOS 最大94% 可调频率/默认140K 实地架构 低至220uA 0.82
OC5818 SOP8 5.5～30V ≤Vi-1V ≤2.5A 30W 内置MOS 最大94% 可调频率/默认140K 实地架构 低至220uA 0.82
OC5820 SOP8 5.5～40V ≤Vi-1V ≤2.5A 30W 内置MOS 最大94% 可调频率/默认140K 实地架构 低至220uA 0.82
OC5822 SOP8 5.5～60V ≤Vi-1V ≤1.5A 18W 内置MOS 最大94% 可调频率/默认140K 实地架构 低至220uA 0.82
OC5801L
OC5806L
OC5800L
OC5816
OC5840
OC58652
OC58658
OC58650
OC58655B
OC5800E
OC5804L